快科技8月4日消息，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在開(kāi)發(fā)400層堆疊的NAND閃存，將于2025年投入大規(guī)模量產(chǎn)，再次遙遙領(lǐng)先。

為了達(dá)成如此密集的堆疊，SK海力士使用了所謂的4D NAND閃存、混合鍵合技術(shù)，也就是W2W(wafer-to-wafer)結(jié)構(gòu)，將兩塊晶圓鍵合在一起，和目前將閃存單元置于外圍驅(qū)動(dòng)電路之上的PUC結(jié)構(gòu)截然不同。

這就涉及到了連接不同晶圓的各種材料和技術(shù)，包括拋光、蝕刻、沉淀、引線等各個(gè)階段。

其實(shí)，這就頗有點(diǎn)長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧結(jié)構(gòu)的味道了。

SK海力士在去年8月已經(jīng)展示了321層堆疊閃存的樣品，是第一家做到300+層的，而且是TLC。

其他廠商方面，三星已經(jīng)量產(chǎn)290層閃存，目標(biāo)是2030年超過(guò)1000層。

美光已經(jīng)將276層閃存投入實(shí)用。

鎧俠去年達(dá)成了218層，暗示有望在2027年就達(dá)到1000層。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)……不公開(kāi)，也不能說(shuō)。