臺(tái)積電美國(guó)工廠重要突破!良率超同類工廠4%
來(lái)源:快科技 編輯:非小米 時(shí)間:2024-10-26 00:35人閱讀
快科技10月25日消息,據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建立的第一座晶圓廠取得了重要進(jìn)展,其早期生產(chǎn)良率已超過(guò)中國(guó)臺(tái)灣同類工廠約4%。
此前由于缺乏先進(jìn)設(shè)備安裝的熟練工人以及與安全和管理相關(guān)問(wèn)題,該工廠在早期就面臨著挑戰(zhàn),因此這一良率提升對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)意義重大。
報(bào)道稱,臺(tái)積電美國(guó)部門總裁Rick Cassidy在網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上表示,位于鳳凰城的晶圓廠目前的良率水平比臺(tái)灣的類似晶圓廠高出約4個(gè)百分點(diǎn)。
而良率是半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵指標(biāo),直接決定了生產(chǎn)出的芯片的可用性和制造成本。
此前,臺(tái)積電在4月份已開(kāi)始使用4納米工藝技術(shù)進(jìn)行工程晶圓生產(chǎn),結(jié)果令人滿意,良率表現(xiàn)良好。
根據(jù)規(guī)劃,臺(tái)積電將在亞利桑那州鳳凰城建設(shè)三座晶圓廠,總投資達(dá)到650億美元,美國(guó)政府已承諾提供66億美元補(bǔ)貼,以及稅收抵免和貸款支持。
分享到:
本站所有文章、數(shù)據(jù)、圖片均來(lái)自互聯(lián)網(wǎng),一切版權(quán)均歸源網(wǎng)站或源作者所有。
如果侵犯了你的權(quán)益請(qǐng)來(lái)信告知我們刪除。郵箱:business@qudong.com


