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IEEE國際電子器件會議（International Electron Devices Meeting, IEDM）是半導體器件領域的全球頂級學術會議，被譽為該領域的“奧林匹克盛會”。近日，2025年IEDM大會入選論文名單正式公布，論文總數再創新高。本文將通過關鍵數據深度解讀全球研究格局。

全球概覽：論文數量再破紀錄，高校科研機構貢獻超七成

2025年IEDM入選論文達到298篇，較去年（2024年274篇）增長8.7%，再次突破歷史紀錄，顯示出全球半導體研究的持續創新能力。從機構類型來看，高校與研究機構是絕對主力，貢獻了75% 的論文，企業貢獻約25%。

全球TOP10 ：最具影響力的入選機構盤點 

全球頂尖機構的入選論文數量排名競爭異常激烈。按照第一作者所在機構統計，北京大學入選21篇，以絕對優勢繼續蟬聯全球第一，彰顯其在國際領域的頂尖地位。隨后依次為比利時微電子中心（19篇）、佐治亞理工學院（13篇）、韓國科學技術院（12篇）、三星電子（12篇）、臺積電（9篇）、新加坡國立大學（9篇）、IBM研究院（8篇）、斯坦福大學（8篇）、中國科學院微電子研究所（8篇）。

中美對比：入選論文數量解析

IEDM 2025中國入選論文共101篇，其中中國內地67篇、中國臺灣27篇、中國香港7篇。

按照第一作者所在機構統計，中國內地的67篇論文來自20個機構。北京大學21篇（較去年增加6篇）、中國科學院微電子研究所8篇（較去年增加2篇）、清華大學6篇、南京大學（4篇）、中國科學技術大學（4篇）、東南大學（3篇）、上海交通大學（3篇）、西安電子科技大學（3篇）、北京航空航天大學（2篇）、山東大學（2篇）、長鑫存儲（2篇）、北京理工大學（1篇）、復旦大學（1篇）、杭州領摯科技有限公司（1篇）、華中科技大學（1篇）、南方科技大學（1篇）、蘇州能訊高能半導體有限公司（1篇）、西湖大學（1篇）、浙江大學（1篇）和中國科學院上海微系統與信息技術研究所（1篇）。其中，長鑫存儲（CXMT）、杭州領摯科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司（與小米通訊合作）集中展示了在存儲、生命科學與射頻等領域的最新突破，展現了中國半導體企業的創新實力。

長鑫存儲在3D FeRAM與新型多層堆疊DRAM雙突破。長鑫存儲首次實現單片集成的堆疊式鐵電存儲（3D FeRAM），提出兩層水平堆疊的1T1C三維架構，配備雙柵極多晶硅選擇晶體管，展現出優異的性能與耐久性，為低功耗非易失性存儲奠定基礎（12-1 | First Experimental Demonstration of Monolithically Stacked FeRAM with Dual-Gate Poly-Si Access Transistors and Horizontal Ferroelectric Capacitors）。此外，長鑫存儲還展示了全球首個BEOL集成的多層DRAM架構，基于IGZO溝道晶體管完成實驗驗證，并在優化性能與可靠性方面取得突破，為未來高性能DRAM的發展開辟新路徑（29-3 | High Performance and Robust Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM with Multi-tiered Architecture）。 

IEDM 2025美國入選論文共74篇，按照第一作者所在機構統計，74篇論文來自28個機構。排在前5的分別是佐治亞理工學院（13篇）、IBM研究院（8篇）、斯坦福大學（8篇）、普渡大學（6篇）、圣母大學（4篇）。

機構畫像：中美科研力量的類型分布對照

按照第一作者所在機構類型統計，在中國內地的入選論文貢獻中，高校占據了絕對主導（約81%），而企業占比相對較低。這反映出國內強大的學術研發能力，同時也暗示了從“學術論文”到“產業成果”的轉化路徑仍有提升空間。反觀美國，其企業界的貢獻占比（約33%）顯著更高。IBM研究院、英特爾、高通、美光科技、應用材料等巨頭在IEDM上比較活躍，積極展示其最新的技術突破。這不僅體現了其深厚的技術儲備，更是一種將前沿研究成果與市場領導力綁定的戰略展示。

IEDM 2025會議將于2025年12月6日至10日在美國舊金山舉行。