根據TechInsights提供的數據,用于各種應用的DRAM現貨價格在4月份同比僅上漲4%之后,9月份已較去年同期上漲了近兩倍。這一輪強勁的價格上漲,不僅反映了市場供需格局的深刻變化,更凸顯了技術創(chuàng)新在當前行業(yè)周期中的核心價值。

2025年9月,全球半導體器件領域的頂級學術會議——國際電子器件大會(IEDM)論文錄用名單正式揭曉。國內DRAM制造龍頭長鑫科技,憑借在3D FeRAM與采用后端工藝集成的新型多層堆疊DRAM架構上的兩項突破性研究成果成功入選,論文數量位居國內企業(yè)第一。

國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM)是由IEEE主辦的微電子器件領域年度學術會議,始于1955年,擁有七十多年歷史。是全球半導體器件領域最頂尖的學術會議之一,被譽為該領域的“奧林匹克盛會”。

今年,中國內地機構在本屆IEDM的論文覆蓋了全部九大技術方向中的六個,不僅在入選數量上實現全面提升,其全球占比也同步增長,顯示出整體研究實力與影響力的持續(xù)增強。中國內地機構(含高校、科研院所及企業(yè))的入選論文共涉及本屆IEDM設置的32個關鍵技術Session,占全部Session的76.2%,研究范圍全面覆蓋先進邏輯技術(ALT)、新興器件與計算(EDT)、存儲器技術(MT)等重要方向。

按第一作者單位統計,北京大學以21篇入選論文領跑中國內地高校與科研機構,中國科學院微電子研究所(8篇)與清華大學(6篇)緊隨其后。企業(yè)方面,長鑫科技以2篇入選論文位居首位,杭州領摯科技與蘇州能訊高能半導體各以1篇并列其后,顯示出本土企業(yè)在關鍵器件方向的初步突破。

本次長鑫科技展示的3D FeRAM方案實現了單片集成的堆疊式鐵電電容結構,利用鐵電材料的非易失特性,在單元層面實現了數據斷電保存功能,同時通過三維堆疊工藝提升了存儲密度。鐵電存儲器因其讀寫速度接近DRAM、功耗接近NAND的特性,被視為潛在的新型存儲解決方案。

在DRAM技術方向上,長鑫科技提出了可在后端工藝線(BEOL)集成的多層堆疊DRAM架構。該技術突破了傳統DRAM僅能在晶圓前道工藝制造的局限,通過在后道工序中直接構建存儲單元,實現了存儲陣列與邏輯電路的三維集成。這一路徑若成熟,有望為存算一體架構和異構集成提供新的硬件基礎。

長鑫科技的技術護城河源于其持續(xù)的研發(fā)投入與專利資產。較高的研發(fā)人員占比及13,449項專利的堅實積累(位列集微咨詢《2024年中國大陸半導體制造企業(yè)專利榜單》第二),是長鑫突破國內DRAM產業(yè)空白的關鍵。在此基礎上,公司對長鑫的技術和產品實力也頗為認可,據公開信息,目前長鑫主要客戶包括小米、OPPO、傳音、vivo等頭部企業(yè),并服務器、物聯網等高增長賽道。由于掌握DRAM這一具有大宗產品屬性的產業(yè)命脈,長鑫的本土化服務與先發(fā)優(yōu)勢,為其快速提升市場份額奠定了堅實基礎。

隨著中國在全球半導體領域的技術實力不斷彰顯,長鑫科技為后續(xù)本土企業(yè)在半導體核心技術領域的攻堅提供了寶貴的參考范本。